SAMSUNG，HYNIX，MICRON系列Nand Flash，DRAM
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| 制造商IC编号 | MT29F1G08ABAEAH4:E |
| 厂牌 | MICRON/美光 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 128MX8 NAND SLC |
| 脚位/封装 | FBGA-63 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 2.7v-3.6v |
| 温度规格 | Commercial (0°C to +70°C) |
| 速度 | |
| 标准包装数量 | 1260 |
| 标准外箱 | |
| 潜在应用 |
|
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Speed Grade | Async only |
| Design Revision | E |
| Package Material | Pb-free |
| Production Status | Production |
| Classification | 1-1-1-1 (Die-nCE-RnB-IO Channels) |
| Interface | Async only |
| Level | SLC |
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