SAMSUNG，HYNIX，MICRON系列Nand Flash，DRAM
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主营产品：SAMSUNG，HYNIX，MICRON系列Nand Flash，DRAM
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| 制造商IC编号 | TC58NVG0S3CTAI0 |
| 厂牌 | TOSHIBA |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 |
| 脚位/封装 | TSOP |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | Vcc 3.3V VccQ - |
| 温度规格 | |
| 速度 | |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| 潜在应用 | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 128M |
| Cell Level | 2 Level( 1 bits/cell ) |
| Package Material | Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes |
| Package Size | TSOP[mm]: 12 x 20 x 1.2, LGA[mm]: Reserved, BGA[mm]: General code( 12.5x20, 14x18, 12x18 ) |
| Block Size | 128KB |
| Mono Stack | Single Chip |
| Channel | Single, # of CE 1 |
| Page Size | 2KB |
| Nand Type | NAND |
| Design Rule | 70 nm |
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