SAMSUNG，HYNIX，MICRON系列Nand Flash，DRAM
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| 制造商IC编号 | HY27UF081G2M-TPCB |
| 厂牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 128MX8 NAND |
| 脚位/封装 | TSOP |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 2.7-3.6V |
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