SAMSUNG，HYNIX，MICRON系列Nand Flash，DRAM
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| 制造商IC编号 | K9F1G08U0B-PIB0 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 128MX8 NAND SLC |
| 脚位/封装 | TSOP |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 2.7v-3.6v |
| 温度规格 | INDUSTRIAL |
| 速度 | |
| 标准包装数量 | 960 |
| 标准外箱 | |
| 潜在应用 |
|
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Pre Prog Version | None |
| Generation | 3rd Generation |
| Mode | Normal |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
| Classification | SLC Normal |
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