清洗剂_蚀刻液_解胶剂_光亮剂_研磨液_东莞市研尔化工科技有限公司

产品简介

CH660是针对芯片封装后残留物清洗开发的一款弱碱性水基清洗，能够快速有效的去芯片封装后钎焊膏、助焊及油污、灰尘等残留物质。众所周知，随着电路集成度越来越高，芯片线距及焊脚越来越微细，这些焊接过程产生的残留物，以及指纹、汗液、角质和灰尘，在空气氧化和水分的作用下，会严重影响到封装后的元器件和电路的绝缘及稳定性，甚至造成不可逆的损坏。CH660清洗能够彻底清洗残留物及污垢，同时对半导体芯片上的功能材料如铝、铜、铂和镍等敏感金属，以及墨水字符、特殊标签等无腐蚀和破坏。这些敏感金属和特殊功能材料在碱性环境中容易氧化、变色、膨胀、变形和脱落，杜绝了传统的具有酸碱性的水性清洗造成这些敏感金属和特殊功能材料的氧化、变色、膨胀、变形和脱落问题，是半导体封装后的理想选择。

产品特性

1. 产品清洗能力强，能清除各种污染物及残留物。

2. PH弱碱性，特别适用于较长接触时间的清洗，材料兼容性好，对产品本身无腐蚀破坏。

3. 采用去离子水做溶剂，无闪点，使用安全。

4. 气味轻淡，对工作环境无影响，操作人员易接受

5. 清洗负载能力高，可过滤性好，具有超长的使用寿命

6. 不含VOC成分，能满足VOC排放的法规要求

应用范围

CH660应用在超声波清洗工艺和喷淋清洗工艺中，适用于SIP系统级封装，倒装芯片，POP堆叠芯片，晶圆级封装的清洗。
理化参数	水基清洗CH660
外观	无色透明液体
密度（25℃）g/cm3	1.00±0.05
PH值(10g/l H2O)	9.0-12．0
沸程（℃)	100-255
闪点（℃)	无
清洗温度（℃/℉)	40-55
卤素wt/wt	0
水溶性	可溶

使用说明

CH660是针对芯片封装后清洗开发的一款碱性水基清洗，适用于超声波清洗工艺和喷淋清洗工艺。下面分别介绍CH660在以上两种清洗工艺中的具体应用。

一．超声波清洗工艺

在超声波清洗工艺中，将待清洗件浸没在清洗槽中，利用超声波在清洗中的空化作用、加速度作用及直进流作用，和清洗对污垢的溶解性相结合，使污垢层被溶解、分散、乳化，或剥离而达到清洗目的。工艺原理图（图1-图3可见）

1. 工艺流程

超声波清洗 —→ 超声波漂洗 —→ 干燥—→ 完成

(SCP110,单槽或多槽) (去离子水, 单槽或多槽)

2.工艺应用参数

项目	超声波清洗	超声波漂洗	干燥
介质	CH660	去离子水	热风烘干
温度	45-55℃	45-55℃	100-120℃
时间	15-20min	15-25min	＞20min

二.喷淋清洗工艺

喷淋工艺的循环清洗系统更能发挥其易过滤、清洗寿命长及不易起泡等优势。喷淋清洗工艺适用于大批量清洗，在线完成化学清洗、漂洗、烘干全部工序。喷淋清洗主要是采用中、高压喷淋泵对清洗液增压，将低流的清洗液转换为高速束流冲擦清洗表面，从而达到清洗的目的.

1.工艺流程

加液→上料（接驳来料装置）→喷淋清洗→喷淋漂洗→干燥→下料

2.工艺应用参数项目	喷淋清洗	喷淋漂洗	干燥
一段		二段
介质	CH660	去离子水	热风烘干
温度	45-55℃	45-55℃	100-120℃
时间	8-10min	8-10min	＞20min