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四象限双向可控硅 BT131的产品特点：
NPNPN 五层结构的硅硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式：TO-92
四象限双向可控硅 BT131的产品应用：
加热控制器
彩灯控制器
电饭煲
燃气点火器
电风扇调速器
四象限双向可控硅 BT131的极限值(TCASE=25℃)：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 1 | A |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 16 | |
| I2t | I2t值 | 1.28 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 I-II-III | 50 | A/μs |
| 通态电流临界上升率 IV | 10 | ||
| IGM | 门极峰值电流 | 2 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 5 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 0.5 | |
| Tstg | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+125 |
四象限双向可控硅 BT131的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| D | E | |||
| IGT | 门极触发电流 I-II-III | ≤3 | ≤5 | mA |
| 门极触发电流 IV | ≤5 | ≤10 | ||
| VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V | |
| VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | ||
| IH | 维持电流 | ≤5 | ≤5 | mA |
| IL | 擎住电流 I-III-IV | ≤6 | ≤10 | |
擎住电流 II | ≤10 | ≤15 | ||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥20 | ≥50 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V | |
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | ≤5 | ≤5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃ | ≤100 | ≤100 | ||
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