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所在地区：广东/东莞市
主营产品：可控硅一站式解决方案供应商
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12A单向可控硅 BT151的产品特征：
PNPN 四层结构的硅单向器件；
P 型对通扩散隔离；
台面玻璃钝化工艺；
背面多层金属电极；
符合 RoHS 规范
封装形式：TO-220B
12A单向可控硅 BT151的应用：
摩托车调压器；LED 灯控制器；彩灯控制器；直发器…
12A单向可控硅 BT151的极限参数(TCASE=25℃)：
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM：600/800V
通态均方根电流 IT(RMS)：12A
通态不重复浪涌电流 ITSM：120A
I2t值：72A2s
通态电流临界上升率 dIT/dt：50A/μs
门极峰值电流 IGM：2A
门极峰值功率 PGM：5W
门极平均功率 PG(AV)：0.5W
存储温度 TSTG：-40~+150℃
工作结温 Tj：-40~+125℃
12A单向可控硅 BT151的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | ||
| MIN | TYP | MAX | |||
| IGT | 门极触发电流 | 15 | mA | ||
| VGT | 门极触发电压 | 1 | V | ||
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |||
| IH | 维持电流 | 30 | mA | ||
| IL | 擎住电流 | 40 | |||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 200 | V/μs | ||
| VTM | 通态压降 | 1.6 | V | ||
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM=VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA | ||
断态重复峰值电流 VD=VDRM=VRRM,TJ=125℃ | 1 | mA | |||
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