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微触发单向可控硅 C106的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 2.55 | A |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 4 | |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 20 | |
| I2t | I2t 值 | 1.65 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 0.5 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 0.1 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 0.2 | |
| TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+110 |
微触发单向可控硅 C106的应用：
脉冲点火器
负离子发生器
逻辑电路驱动
直发器
调光开关
咖啡壶
LED控制器
微触发单向可控硅 C106的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| IGT | 门极触发电流 | 10~200 | μA |
| VGT | 门极触发电压 | 0.65 | V |
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |
| IH | 维持电流 | 3 | mA |
| IL | 擎住电流 | 5 | |
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 10 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | 1.55 | V |
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | 5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃ | 100 |
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