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12A双向可控硅 T1235的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 800/1000 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 12 | A |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 120 | |
| I2t | I2t 值 | 78 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | W |
| TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+150 |
12A双向可控硅 T1235的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| IGT | 门极触发电流 | 35 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | 1.5 | V |
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |
| IH | 维持电流 | 45 | mA |
| IL | 擎住电流 I-III | 50 | |
擎住电流 II | 70 | ||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 1000 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | 1.5 | V |
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VDRM/VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA |
断态重复峰值电流 VDRM/VRRM,TJ=125℃ | 1 | mA |
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