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4A单向可控硅 X0405M的产品特点：
PNPN 四层结构的硅单向器件
门极灵敏触发
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式：TO-252
4A单向可控硅 X0405M的应用领域：
X0405M单向可控硅应用于：脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、直发器、调光开关、咖啡壶、LED 控制器等等。
4A单向可控硅 X0405M的极限值(TCASE=25℃)：
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM：600/800V
通态均方根电流 IT(RMS)：4A
童泰平均电流 IT(AV)：2.5A
通态不重复浪涌电流 ITSM：30A
I2t值：4.5A2s
通态电流临界上升率 dIT/dt：50A/μs
门极峰值电流 IGM：1.2A
门极峰值功率 PGM：1W
门极平均功率 PG(AV)：0.2W
存储温度 TSTG：-40~+150℃
工作结温 Tj：-40~+110℃
4A单向可控硅 X0405M的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | ||
| MIN | TYP | MAX | |||
| IGT | 门极触发电流 | 10 | 200 | μA | |
| VGT | 门极触发电压 | 0.65 | 0.8 | V | |
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |||
| IH | 维持电流 | 5 | mA | ||
| IL | 擎住电流 | 6 | |||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 10 | V/μs | ||
| VTM | 通态压降 | 1.55 | V | ||
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA | ||
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=110℃ | 150 | ||||
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