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国产微触发可控硅 X0805的极限值：
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM：800V
通态均方根电流 IT(RMS)：8A
通态不重复浪涌电流 ITSM：80A
I2t值：32A2s
通态电流临界上升率 dIT/dt：50A/μs
门极峰值电流 IGM：4A
门极峰值功率 PGM：2W
门极平均功率 PG(AV)：1W
存储温度 TSTG：-40~+150℃
工作结温 Tj：-40~+110℃
国产微触发可控硅 X0805的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | ||
| MIN | TYP | MAX | |||
| IGT | 门极触发电流 | 50 | 200 | μA | |
| VGT | 门极触发电压 | 0.6 | 0.8 | V | |
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |||
| IH | 维持电流 | 5 | mA | ||
| IL | 擎住电流 | 6 | |||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 10 | V/μs | ||
| VTM | 通态压降 | 1.55 | V | ||
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VDRM=VRRM,RGK=1KΩ,TJ=25℃ | 5 | μA | ||
断态重复峰值电流 VDRM=VRRM,RGK=1KΩ,TJ=110℃ | 0.5 | ||||
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