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低内阻MOS管 3415的特点：
VDS=-20V
ID=-4.2A
RDS(ON)＜37mΩ@VGS=-4.5V
转为PWM、负载开关和通用应用而设计
低导通电阻和低栅极电荷
低内阻MOS管 3415的引脚排列图：
低内阻MOS管 3415的极限参数：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±8 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -4.2 | A |
| 漏极电流-连续 TC=70℃ | -2.4 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -30 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 1.4 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 90 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
低内阻MOS管 3415的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 37 | 43 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-4A | 45 | 54 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-2A | 56 | 73 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.3 | -1 | V | |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=-16V,VGS=0V | -1 | uA | ||
零栅压漏极电流 TJ=125℃ | -50 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 VGS=±8V | ±10 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 10 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 0.77 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 939 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 130 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 111 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 8.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 29 | |||
| tf | 开启下降时间 | 13 |
低内阻MOS管 3415的封装外形尺寸图：
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