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100V场效应管4N10 SOT23-6
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  • 产品类型 Array
  • 产品型号 4N10
  • 产品封装 SOT-23-3L
  • 产品标题 低内阻N沟道MOS管 4N10 SOT-23-3L MOSFET型号大全
  • 可售卖地 全国
  • 供货方式 现货+订货


低内阻N沟道MOS管 4N10的引脚图:



低内阻N沟道MOS管 4N10的特点:

  • VDS=100V

  • ID=3.8A

  • RDS(ON)<240mΩ@VGS=10V

  • 封装:SOT-23-3L



低内阻N沟道MOS管 4N10的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



低内阻N沟道MOS管 4N10的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压100V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 TC=25℃3.8A
漏极电流-连续 TC=100℃2
IDM漏极电流-脉冲8
PD总耗散功率 TC=25℃3.76W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻70℃/W
RθJC
结到管壳的热阻30



低内阻N沟道MOS管 4N10的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压100

V
RDS(ON)

静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=1A


210240

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=0.5A


240280
VGS(th)
栅极开启电压11.92.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=100V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=80V,VGS=0V,TJ=125℃



10
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
2.3
S
Qg
栅极总电荷
918nC
Qgs栅源电荷密度
2.34.6
Qgd栅漏电荷密度
1.12.5
Ciss输入电容
152200pF
Coss输出电容
1720
Crss反向传输电容
1015
td(on)开启延迟时间
5.210ns
tr开启上升时间
6.812
td(off)关断延迟时间
14.528
tf
开启下降时间
2.15



低内阻N沟道MOS管 4N10的封装外形尺寸:

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