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150V/4A NMOSFET 4N15 SOT-23-3L
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产品品牌: 宇芯微
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  • 产品类型 Array
  • 产品型号 4N15
  • 产品封装 SOT-23-3L
  • 产品标题 150V/4A NMOSFET 4N15 SOT-23-3L 贴片功率MOS管 MOS管4N15
  • 可售卖地 全国
  • 供货方式 现货+订货


NMOSFET 4N15的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



NMOSFET 4N15的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压150
V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续4A
IDM漏极电流-脉冲9
PD总耗散功率2W
RθJA
结到环境的热阻125℃/W
RθJC结到管壳的热阻80
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



NMOSFET 4N15的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压150165
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=1.5A


220280
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=1.5A


230300
VGS(th)
栅极开启电压11.83V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
8
nC
Qgs栅源电荷密度

1.4
Qgd栅漏电荷密度
2.1
Ciss输入电容
235
pF
Coss输出电容
36
Crss反向传输电容
20
td(on)开启延迟时间
8
ns
tr开启上升时间

10


td(off)关断延迟时间
20
tf
开启下降时间
15


立即询价 X

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