原子层沉积系统、纳米力学测试设备、分子相互作用仪、脉冲激光沉积设备、定量阴极...
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产品信息
激光 MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，为用户提供了类似于 MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。
• 高压 RHEED 用于原位薄膜生长控制。
• 提供原子级薄膜生长控制生长模式控制。（例如：通过 RHEED 振荡实现的 2D 生长模式）。
• RHEED 是一种衍射技术。从屏上产生的衍射图样中，可以实时地破译结构信息。
• 厚度和沉积速率信息。
• 薄膜衬底界面的应力其它结构缺陷可检测。
• 这些信息对于各种纳米结构的高质量外延薄膜生长至关重要。
技术参数
• zui 大束流电压：30 KeV。
• 两组磁线圈，用于衬底平面内和垂直于衬底平面的束流运动。
• 双差动泵（氧气的兼容性高达 500 mTorr ）。
• 配有光阀的凹形 RHEED 屏。
• 12 位 CCD 相机。
• K-space 数据采集和软件。
• 与 PLD 系统完全集成。
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