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设计制备了 GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2.75μm。五元势垒材料 AlGaInAsSb有 效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2.75μm 波段。通过优化分子束外延生长 参数,得到了高发光效率的量子阱激光器外延材料,在此基础上设计并制备了腔长为1.5mm、脊宽为50μm、 波长为2.75μm 的 法 布 里-珀 罗 腔 结 构 的 激 光
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