如今越来越多的电子设备正在变得小型化。消费电子产品小型化的背后是半导体芯片，半导体芯片每年都在变得越来越小。半导体芯片使用微制造技术，以实现更高的高速集成度。传统的PCB无法满足现代半导体芯片所需的电路功能。然而，基于陶瓷的半导体电路的出现导致了微型电路组件之间的高集成和性能。因此，陶瓷PCB基板通常被认为是半导体技术的未来。

氮化铝被广泛的应用在工业各个领域：

1、压电装置应用

氮化铝具备高电阻率，高热导率(为Al2O3的8-10倍)，与硅相近的低膨胀系数，是高温和高功率的电子器件的理想材料。

2、电子封装基片材料

常用的陶瓷基片材料有氧化铍、氧化铝、氮化铝等，其中氧化铝陶瓷基板的热导率低，热膨胀系数和硅不太匹配；氧化铍虽然有优良的性能，但其粉末有剧毒。

在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中，氮化硅陶瓷抗弯强度高，耐磨性好，是综合机械性能的陶瓷材料，同时其热膨胀系数小。而氮化铝陶瓷具有高热导率、好的抗热冲击性、高温下依然拥有良好的力学性能。可以说，从性能的角度讲，氮化铝与氮化硅是目前适合用作电子封装基片的材料，但他们也有个共同的问题就是价格过高。

3、应用于发光材料

氮化铝（AlN）的直接带隙禁带宽度为6.2eV，相对于间接带隙半导体有着更高的光电转换效率。AlN作为重要的蓝光和紫外发光材料，应用于紫外/深紫外发光二极管、紫外激光二极管以及紫外探测器等。此外，AlN可以和III族氮化物如GaN和InN形成连续的固溶体，其三元或四元合金可以实现其带隙从可见波段到深紫外波段的连续可调，使其成为重要的高性能发光材料。

4、制冷组件的上下面是陶瓷片，它起电绝缘、导热和支撑作用。不同的陶瓷材料具有不同的电化学特性。比如氧化铝的导热率≧24W/M.K,氮化铝导热率≧170W/M.K。斯利通在国内外拥有稳定的陶瓷基板供应商，通过严格的来料检验和控制，根据客户不同的产品需求定制满足产品性能要求的陶瓷基座。斯利通制作的陶瓷基座，通过DPC工艺让陶瓷金属化，具有结合力好，金属化图形精度高的优点，相比较传统的HTCC/DBC工艺，更加符合高端制冷片的生产工艺要求。中间是半导体制冷元件，它的主要成分是碲化铋。碲化铋是一种三元固溶体合金，其中P型是Bi2Te3—Sb2Te3，N型是Bi2Te3—Bi2Se3。

斯利通氮化铝陶瓷电路板产品性能： 

材质：氮化铝

层数：单层

基材厚度：0.254mm/0.635mm/其它

表面铜厚：1-1000um（按要求定制）

线宽线距：0.05mm

表面处理：沉镍金，镍厚：3-8um，金厚：1u”-6u”

产品特点：铜层与基材结合力好，线路边缘无侧蚀，铜面平整性好，小间距、精密化