武汉普赛斯仪表

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精密源表IV扫描led电性能
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产品品牌: 普赛斯仪表
地址: 东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力节能环保产业园8栋2楼

武汉普赛斯仪表

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所在地区:湖北/武汉市

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  • 尺寸 425*255*106mm
  • 重量 5KG
  • 测试范围 ±300uV-±300V/±100pA-±1A
  • 测试精度 0.1%
  • Z大输出功率 30W
  • 通信口 RS-232、GPIB及以太网

LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。其电压-电流之间的关系称为I-V特性。通过LED电性的测试可以获得对应正向电压(Vf)、反向电压(Vr)及漏电流(Ir)等参数,以及相应的I-V曲线。常用的测试方法一般为在LED器件的两端,加电压测试电流,或者加电流测试电压。此外,还可以根据客户要求,搭配相应的光学测试系统,测试相应的光学性能。

          

典型二极管I-V特性曲线                                  LED光电测试系统示意图

 

Vf正向导通电压测试

正向导通电压,是LED在正常工作电流下测量的电压值。当加载在LED两端的工作电压,低于导通电压时,通过LED的电流J小,不发光。当电压超过该值后,通过LED的电流随电压迅速增加,而后LED发光。常用测试方法为,将LED的正极接在高电位端,负极接在低电位端,逐渐增加LED的电流(电流值一般为几mA),并同时测量LED两端的电压(电压值范围在几V以内)。而后根据实际测试需要,对数据进行分析,得到相应的Vf值。

 

Vr 反向击穿电压测试

反向击穿电压,是所允许加载在LED两端的Z大反向电压。当二极管两端的反向电压超过Vr后,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。若长时间工作电压超过Vr,发光二极管可能被击穿损坏。常用测试方法为,将LED的正极接在低电位端,负极接在高电位端,逐渐增加LED的电流(电流值一般为几mA),并同时测量LED两端的电压(电压值范围在几V以内)。而后根据实际测试需要,对数据进行分析,得到相应的Vr值。由于源表可作为四象限工作的电压源,因此,在测试时,无需将接线端反接。源表内部会自动根据设定值,切换输出端的极性。

 

Ir漏电流测试

漏电流,指LED处于反向偏置状态时,流过二极管的微弱反向电流。此时,LED两端的电压低于Vr。常用的测试方法为,LED的正极接在低电位端,负极接在高电位端,而后根据实际测试需要,设定加载在LED两端电压,测量电流Ir

 

  1. 绘制LED I-V特性曲线测试

  2. 连接

    如下图所示,选择合适的夹具,将LED与S型源表进行连接

     

    源表测试连接示意图


S型源表简介

普赛斯S系列高精度源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品Z大输出电压达300V,Z小测试电流达100pA,分辨率低至10pA,支持四象限工作,因此,可广泛应用于各种半导体器件I-V电特性测试,如半导体IC,功率半导体器件,传感器,LED等。产品具有如下特点:

  • 采用5寸800*480触摸显示屏,全图形化操作,操作简单方便

  • 内置丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描

  • 四象限工作模式,可在源模式或肼模式下工作

  • 支持USB存储,一键导出测试报告

  • 兼容多种上位机通讯方式,RS-232、GPIB及以太网

  • 可搭配普赛斯自主开发的上位机软件使用,快速实现不同器件的测试


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