武汉普赛斯仪表有限公司

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第三代半导体功率器件静态参数测试设备
价格: 1000.00/元台
起订量: 1 台
产品品牌: 普赛斯仪表
地址: 东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力节能环保产业园8栋2楼

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联系姓名:周鹏

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所在地区:湖北/武汉市

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  • 集电极-发射极 Z大电压 3500V
  • Z大电流 6000A
  • 大电压上升沿 典型值5ms
  • 大电流上升沿 典型值15us
  • 大电流脉宽 50us~500us
  • 漏电流测试范围 1nA~100mA

  普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级京确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。第三代半导体功率器件静态参数测试设备详询一八一四零六六三四七六;



IGBT测试系统图



    普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够及大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。



“双高”系统优势


    高电压、大电流


    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展至10kV)


    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)


    高精度测量


    nA级漏电流,  μΩ级导通电阻


    0.1%精度测量


    模块化配置


    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元


    测试效率高


    内置Z用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元


    支持国标全指标的一键测试


    扩展性好


    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具


测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等

静态测试系统.jpg

系统特点和优势:


单台Z大3500V输出;


单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;


15us的超快电流上升沿;


同步测量;


国标全指标的自动化测试;


可定制夹具;


nA级电流和uΩ级电阻测量;



相关企业

深圳艾克思科技有限责任公司

进入店铺
  • 2018

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  • 50万人民币

    注册资本

  • 制造商

    经营模式

主营:电光调Q、二极管测试仪、高压电源

深圳市千百顺科技有限公司.

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  • 2009

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    公司类型

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  • 未填写

    经营模式

主营:深圳市千百顺科技有限公司专业从事ICT测试仪设备的研发、生产、销售、服务于一体的厂家

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