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普赛斯HCPL100型霍尔响应时间测试大电流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15us）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。
设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。详询一八一四零六六三四七六；
产品特点
50μs-500μs的脉冲宽度连续可调
15μs超快上升沿（典型时间）
两路同步测量电压0.3mV-18V
0.1%测试精度
单台5A-1000A程控输出，可多台并联蕞高达6000A
支持过流保护、异常开路保护
可快速测试IGBT或SiC的单管及半桥
可适用于大电流传感器（阶跃）响应时间测试
应用领域
肖特基二极管
整流桥堆
IGBT器件
IGBT半桥模块
IPM模块
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们
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